Проекты наноцентра

«Инверсис»

RND центр в области современной силовой электроники.

НИР и ОКР по созданию силовых преобразователей нового поколения на базе эффективных полупроводниковых материалов: SiC, GaN

Продукция:

  1. силовые преобразователи на SiC-, GaN-диодах и транзисторах

Преимущества:

  • увеличение удельной мощности за счет снижения потерь на коммутацию;
  • преобразование на высокой частоте - снижение размеров фильтра и других пассивных компонентов;
  • высокотемпературный преобразователь требует менее интенсивного охлаждения;
  • обеспечение высокой эффективности преобразования, КПД более 95%;
  • снижение массы и габаритов устройства.

Сферы применения:

  • распределительные сети;
  • альтернативная энергетика;
  • электротранспорт;
  • военно-промышленный комплекс.

Фотографии

Контактная информация

‎г. Саранск, ул. Лодыгина, д.3, АУ «Технопарк-Мордовия»
Кочетовский Андрей
‎8(905)378-7206
Яндекс.Метрика